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Micron Technology发运首批混合式内存立方样品

来源：沈阳新闻网作者：莎莎更新时间：2020-09-20 22:33:42阅读：

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作为该行业的一项重大突破，hmc采用先进的硅穿孔技术(tsv)将高性能逻辑与micron的先进dram相结合，该技术使用垂直管道将独立的芯片堆栈电连接起来。Micron的hmc有一个容量为2gb的存储立方体，由四个容量为4gb的dram芯片堆叠而成。该解决方案提供了前所未有的160gb/ s内存带宽，但与现有技术相比，其每字节能耗降低了70%以上，从而显著降低了客户的总拥有成本(tco)。

客观分析记忆分析师吉姆汉迪说，混合记忆立方体是一种聪明的装置，它打破了业内以往的方法，开辟了一种新的可能性。尽管dram的内部带宽及其对数据的逻辑渴求呈指数级增长，但现有的处理器-存储器带宽是有限的，并且消耗非常高的能量。Hmc是一个令人兴奋的选择。

Hmc使内存变得抽象，因此设计人员可以花更多时间使用hmc的革命性功能和性能，并减少花在实现基本功能所需的许多内存参数上的时间。它还可以管理错误纠正、恢复、刷新和其他由内存处理变化引起的参数。

micron dram解决方案集团副总裁brian shirley说，系统设计人员正在寻找新的存储系统，以满足日益增长的带宽、密度和能效需求。Hmc代表了内存性能的新标准，这是我们的客户一直期待的突破。

Hmc被业界领袖和权威人士视为填补dram性能改善率和处理器数据消耗率之间差距的期待已久的工具。微米hmc最近被主流电子出版物edn和ee times命名为年度存储产品。

美光预计将在2014年初推出4gb hmc工程样品，并在2014年底大规模生产2gb和4gb hmc设备。

大约微米

Micron technology，inc .是世界领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过其全球业务，美光生产和销售一整套dram、nand和nor闪存，以及其他创新的存储技术、封装方案和半导体系统，用于高级计算、用户、网络、嵌入式和移动产品。美光的普通股在纳斯达克上市交易，代码为mu。欲了解更多关于美光科技公司的信息，请访问www.micron

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(c) 2013 micron technology，Inc .保留所有权利。信息如有更改，恕不另行通知。micron和micron轨道标志是micron technology，inc .的商标或注册商标。所有其他商标或服务标志归其各自所有者所有。本新闻稿包含关于混合存储立方体的样品可用性和大规模生产的前瞻性声明。请参考美光和证券交易委员会定期发布的摘要文件，尤其是美光最新的10-k和10-q表。这些文档包含并确定了导致摘要文档内容不同于前瞻性陈述的重要因素(参见一些因素)。虽然我们认为前瞻性声明中反映的期望是合理的，但我们不能保证其未来的结果、活动水平、业绩或成就。

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